AECQ100附录1认证产品家族的定义

AEC-Q最新的版本是Rev_H，发布于年，当前网上很难找到公开的中文翻译版文档。此篇翻译和解读，就是基于官方公开的英文版本为基础。

此文档是继续前一篇AECQ正文翻译和解读继续的附录部分内容，想了解AECQ文件正文内容的朋友，可以点击如下链接。

AEC-Q-REV-H中文版翻译及内容解读（正文部分）

Appendix1:DefinitionofaProductQualificationFamily

附录1：产品认证家族的定义

AECQ提供了以下通用数据的使用指南，以加快和简化供应商和客户的认证过程。供应商和客户可以使用本指南，就如何在适当的时候使用通用数据达成共识。

要将某一器件归入产品认证家族，它们必须具有如下内容所定义的相同的主要产品、工艺和原材料元素。特定产品的认证将在（但不限于）下列类别内定义。A1.1节定义的关键产品功能细节，A1.2节和A1.3节定义的关键工艺步骤和材料，并不需要完全一致，但应通过技术论证确保产品家族的通用数据可以覆盖此产品实际应用的最坏情况。

除第4.2节的器件特定要求外，如果有一个家族成员成功完成了认证，同一认证家族中的所有产品都视为通过相关认证。对于涉及多个属性(例如，场地、材料、工艺)的广泛变更，请参阅本附录A1.5节和Q2.3节，其中允许选择最坏情况下的测试车辆状态，以涵盖所有可能的风险。

编者注：很多朋友看到这里可能很开心，因为产品家族可以一次认证代替所有产品的认证，但是大家可以看看表2中的内容，还是有很多项目是不接受通用数据的，同时也要看客户是否认可。所以实际上，除非是非常成熟的产品线，已经大批量供货并经受住实践考验，否则认证的项目很难减少。

A1.1产品功能细节定义

a.产品功能(例如，运算放大器，调节器，微处理器，逻辑-HC/TTL)

b.工作电源电压范围(s)

c.规定的工作温度范围

d.指定工作频率范围

e.为晶圆厂技术设计库单元

内存IP(例如，单元结构，构建块)

数字设计库单元(如电路块，IO模块，ESD单元)和/或模拟设计库单元(如有源电路元件，无源电路元件)在数据表电压水平和数据表或更好的温度范围内，以及功耗

库单元的速度/性能

f.内存类型和大小

g.Pad下有源电路的设计规则

h.供应商定义的其他功能特性

对于指定在不同电源(如5.0V和3.3V)下工作的产品，应提供两个电源范围的产品认证族数据。

对于指定在不同温度范围下工作的产品，在规格书中器件的温度下，需要提供三(3)批产品认证族数据和表2E1TEST数据。表2中A、B、E和G组在规定温度Q下的应力分类必须等于或高于器件合格。来自产品族的三(3)批数据，在规格书中器件的频率，需要与表2E1测试数据在规定的温度Q表2组A,B,E和G结果中一起提供，所有内存类型产品必须通过三(3)批验证，并且使用最大的内存大小，以符合产品族中的器件。如果需要认证的部件的内存容量大于已经认证的部件，供应商必须在更大的内存配置上至少执行一次测试。

A1.2晶圆厂工艺细节

每种工艺技术(如CMOS,NMOS，双极)必须分别考虑和确认。无论工艺多么相似，来自晶圆厂多个技术的工艺认证结果不能用于另一种。

对于BiCMOS器件，数据必须根据所考虑的电路采用适当的技术。

当工艺或材料发生变化时，需要进行“最坏情况”系列再确认和适当的测试(参见表A1指导方针)。定义晶圆厂工艺的重要属性如下:

a.晶圆厂技术(如CMOS,NMOS，双极)

b.晶圆厂工艺-包含如下所示的相同属性:

电路元件特征尺寸(例如，布局设计规则，模缩，触点，门，隔离)

基板(例如，方向，掺杂，外延系数，晶圆尺寸)

罩板数量(供应商必须提供放弃这一要求的理由)

光刻工艺(例如，接触vs投影，电子束vsx射线，光刻胶极性)

掺杂过程(例如，扩散与离子注入)

掺杂结构，材料和工艺(例如，多晶硅，金属，水杨酸盐，湿法与干法蚀刻)多晶硅材料，厚度范围和层数

氧化过程和厚度范围(例如，栅氧化和场氧化)

层间介质材料和厚度范围

金属化材料，厚度范围和层数

钝化工艺(例如，钝化氧化物开口)，材料和厚度范围

芯片背面准备工艺和金属化

c.流片地点

A1.3封装工艺-塑料或陶瓷

塑料和陶瓷封装技术的工艺必须分别考虑和鉴定。要将器件归类到一个认证家族系列中，它们必须具有如下所定义的相同的主要工艺和材料元素。当工艺或材料发生变化时，需要通过适当的认证测试进行家族再确认。供应商必须向用户提交技术论证，以支持接受与器件不同的管脚(球)数量、芯片尺寸、基板尺寸/材料/厚度、支撑板尺寸和芯片长径比等通用数据，以获得认证合格。供应商必须拥有技术数据以证明其接受通用数据的合理性。定义认证家族的重要属性如下:

a.封装类型(如DIP,SOIC,PLCC,QFP,PGA,PBGA)

同一封装类型的最坏情况(例如，由于热膨胀系数不匹配导致的封装翘曲)

支撑板(旗)尺寸范围(最大和最小尺寸)符合所考虑的芯片尺寸/纵横比

基板材料(如PBGA)

b.封装过程-包括下列相同的属性:

引线框架基础材料

铅框电镀工艺和材料(包装内部和外部)

芯片头/热垫材料

芯片附着材料

邦线材料和直径

邦线方法，下粘结的存在，工艺

塑料模具复合材料、有机基板材料或陶瓷包装材料

焊锡球金属化系统(如果适用)

散热器类型，材料和尺寸

塑料模具复合供应商/ID

模具准备/标记

c.封装地点

A1.4认证/再认证批次要求

表A1.1:零件认证/再认证批次要求

表A1.2:通用数据使用示例

此表中通用数据部分中列出的情况表示，在这些情况下，产品和生产场地均已经通过认证，并且存在通用数据。在表格中每种情况下，定义了允许器件An可以使用哪些通用数据。

使用表A1.2的指导:

1产品An是属于产品族A的待认证产品。

2产品A1需要能够做为该产品家族的代表，可能是一个更复杂的同家族产品(例如，60V稳压器vs.45V稳压器，8通道vs.4通道放大器)，它将覆盖大多数其他同家族中产品。

3相同的Fab要求是相同的工艺节点和材料。不同的Fab意味着有一个或多个不同的工艺元素。

4相同的封装要求是相同的工艺、材料和封装类型。不同的封装是具有一个或多个不同的工艺、材料元素或封装元素。

5新测试是指4.1节规定的认证测试

6C1是指，除了一种或多种不同的元素(例如，金属从铝变为铜)之外，C1的Fab工艺与C相同。

7.E1是指，封装过程E1与E相同，只是有一个或多个不同的元素(如铝铜键合丝、封装化合物)。

8.B是指，产品B在功能上与产品A不同(例如，逻辑与模拟，稳压器与放大器)。

9.产品复杂性的增加会降低下表部分内容的适用性。

新产品认证方案

编者注：这两个表格翻译的确实吃力，内容和英文原版有些出入，我感觉可能是英文版出现笔误，需要仔细阅读和思考含义，并不难理解。

A1.5多个地点和家族变化的认证

A1.5.1多地点

当需要认证或重新认证的产品或工艺属性变化将影响多个晶圆厂或封装地点时，每个受影响的地点至少需要进行一批样品的验证。

A1.5.2多家族认证

当特定产品或工艺属性变更后认证或重复认证会影响多个流片家族或封装家族，认证测试应该是:

1)每个家族需要拿出一种产品的一个批次进行验证，这个产品是预期中对于此次变更最灵敏的，或者

2)如果只存在一个或两个家族，则从最敏感的家族中拿出总计3批次(来自可接受的通用数据和压力测试数据的任何组合)。

以下是跨多个工艺和产品家族的变更认证的推荐流程:

a.识别出可能受到工艺变更影响的所有产品。

b.识别出可能受到工艺变更影响的关键结构和接口。

c.识别并列出关键结构和接口的潜在失效机制和相关失效模式(见表A1.3中的示例)。注意，步骤(a)到(c)与FMEA是等价的。

d.根据与待评估结构和器件灵敏度相关的相似特征，定义产品分组或家族，并提供技术论证，以记录这些分组的基本原理。

e.提供认证测试计划，包括对变更、测试矩阵和代表性产品的说明，以对应每一种潜在的失效机制和相关的失效模式。

f.对于每个受影响的工艺步骤，必须在每个不同地点展示稳健的工艺能力(例如，对每个工艺步骤的控制、工艺中涉及的每个生产设备的能力、所有受影响地点的工艺岗位逐个步骤的等价性说明)。

表A1.3:钝化改变的失效模式/机制列表示例

如上是AECQ附录1定义产品认证家族的内容，由于篇幅较长，AECQ其余的附录部分内容将会单独翻译整理。

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AEC-Q-REV-H中文版翻译及内容解读（正文部分）

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