倍思30W超级硅快充拆解,内置美思迪赛半

此前Baseus倍思针对20WPD快充市场推出了iPhone12发布期间进入天猫全网销量TOP3位置。

最近倍思又推出了30W功率级超级硅充电器，不过让人惊喜的是，这款直接采用和20W同样的外壳，同样的体积功率直接提升到30W，功率密度相比于目前市面很多主流的氮化镓GaN充电器更高。

而且倍思优秀的设计让如此狭小的体积依然采用单PCB设计，相对于目前主流叠板设计的方案，生产效率和生产成本空前提升，针对目前市面上迷你体积的30W设计对比，倍思的这款30W超级硅PD快充在超小体积、高效生产以及低系统成本几方面可谓为极佳的设计方案。

下面充电头网就对这款兼顾小体积和高效生产的充电器进行详细拆解，看看其内部设计以及用料如何。

一、倍思30W充电器外观

包装盒顶部带有挂钩，正面中心是产品外观图，左上角黄色区域设有Baseus品牌，最下方设有SuperSi等特性标识。

背面是产品使用场景图以及厂商的基本信息介绍。

包装内含充电器、使用说明书和保修卡。

充电器采用同倍思已经上市的20W超级硅迷你PD充电器一样的外壳尺寸，同时提升10W的输出功率，外面非常小巧。外壳采用倍思经典的直板造型设计，机身表面哑光和亮面撞色设计，腰身各面之间过渡圆润，其中正面印有30WSUPERSi字样。

侧面印有Baseus品牌。

输入端采用固定式国标插脚。

输入端外壳上标注有充电器参数信息

型号：CCCJG30CC

输入：-V~50/60HZ0.8A

输出：5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A

深圳市时商创展科技有限公司

生产者：东莞市金盈电子有限公司

产品已经通过了CCC认证。

USB-C口居中设计，橘红色胶芯不露铜，接口采用金属银环装饰。

使用游标卡尺实测充电器机身长度为41.15mm。

宽度为33.8mm。

厚度为27.75mm。

和苹果同样30WPD充电器直观对比，体积优势非常明显。

拿在手上的直观感受，非常小巧、轻薄。

充电器净重约为51g。

使用ChargerLABPOWER-ZKT检测USB-C口输出协议，显示支持Apple2.4A、Samsung5V2A和DCP协议，以及QC2.0/3.0、AFC、FCP、PD3.0快充协议。

此外C口还具备5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A五组固定电压档位。

二、倍思30W充电器拆解

将输入端外壳拆开，插脚和PCB板上的金属片接触通电。

PCB板正面，可以看到没有做复杂的叠板设计，主要由一块大的主PCB加输入端一个小PCB组成，变压器及其周围元器件全部打胶处理，增强整体机械强度。

主PCB焊锡面，可以看到如此迷你的PCB上，元器件非常的简洁，在板子背面仅看到初级的高集成度主控芯片和连接初次级的光耦。

在输出30W的功率下，主芯片没有添加任何散热片或导热硅胶片，可以看出其优异的效率及散热性能，有效降低系统成本和生产成本。下面我们就从输入端开始一一了解各元器件详细情况。

输入端一览，金属片后面有绝缘隔离板，右侧焊接小板，背面设有整流桥。

将小板拆下，正面设有保险丝、共模电感和高压滤波电解电容，小板部分区域包裹绝缘胶带。

保险丝特写，额定电流3.15A。

共模电感双线绕制，用于滤除EMI干扰。

RABS整流桥特写。

高压滤波电容来自凯泽鑫电子，V18μF。

PCB板侧面一览。

另外两颗高压滤波电容也是来自凯泽鑫电子，这颗规格为V22μF。

另一颗规格为V15μF。

工字电感特写。

主控芯片供电电容特写，规格为V4.7μF。

充电器主控芯片采用美思迪赛半导体MX，这是一款超高集成度高性能内置超级硅器件的开关电源控制器芯片，优异的转换效率无需辅助散热方式，专为高度集成小体积的快充适配器设计，为高效率，低待机功耗而优化。

MX内置美思迪赛特有的数字控制及数字反馈Smart-Feedback技术模块，省去了传统模拟电源复杂的RC环路补偿网络，可以无需次级电流Sense电阻达到不同电压条件的恒流输出。该IC引脚设计为了保证高低压引脚的绝缘距离，采用了高低压脚分离设计，把中间两个引脚空起来增加安全性。

美思迪赛MX资料信息。

变压器特写，顶部喷码有信息。

OR-8光耦，用于初级次级通信，反馈调节输出电压。

输出抗干扰蓝色Y电容。

另一颗特写，焊脚套有绝缘管。

输出端一览，USB-C母座焊接在小板上，两侧设有滤波电容，下方设有次级芯片和VBUS开关管。

美思迪赛半导体MX是业界首颗集成同步整流控制器、同步整流MOS管、多协议处理三大功能的次级芯片。MX支持USBPD快充A+C解决方案，支持QC、PD和其它多个私有快充协议。该芯片仅仅14个Pin脚确将次级协议和同步整流一切必要的功能Allinone，用外部最少的Pin脚完成极复杂的功能。

美思迪赛半导体MX+MX快充方案采用数字技术控制及反馈，省去了传统模拟电源复杂的RC环路补偿网络，超集成度高，将外围器件精简到极致，对产品简单的系统设计、高效生产，以及让客户更快的将产品推向市场起到很大的帮助，具备很强的竞争力。

美思迪赛半导体MX规格资料。

输出滤波固态电容来自钰邦，规格均为25VμF。

输出VBUS开关管采用华瑞微HRT30N08J，NMOS，耐压30V。

华瑞微HRT30N08J资料信息。

USB-C母座特写。

全部拆解完毕，来张全家福。

充电头网拆解总结

倍思30WSuperSi快充充电器延续20W超级硅ID设计，直板机身表面哑光处理，接口采用金属环装饰，整体小巧精致。和苹果30W充电器对比，体积优势巨大，算是30W功率级中的迷你充。充电器支持QC、AFC、FCP、PD快充协议，具备5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A五组齐全的电压档位，满足平板等设备充电需求。

充电头网通过拆解了解到，倍思这款30W充电器采用了美思迪赛半导体MX+MX超级硅快充方案，内部电路集成度业界领先，如此小巧的体积下依然不需要采用多PCB叠板设计，得益于美思迪赛半导体超强的整合能力及数模混合设计能力，将传统充电器中所要采用了4-6颗常用芯片，集成到了两颗主控芯片中，让人眼前一亮。

整套方案仅用两颗芯片就完成开关电源同步整流和输出协议识别控制，将外围器件精简到极致，其超小的体积比市面上大多数氮化镓充电器还要小巧，并在成本、体积、温升、效率等方面都很有优势和竞争力。